2SC5858

更新时间： 2024-01-10 12:14:34

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东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
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2SC5858 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	2-21F2A, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.43	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	22 A	集电极-发射极最大电压：	750 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	2 MHz
Base Number Matches：	1

2SC5858 数据手册

2SC5858

TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE

2SC5858

HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR

HDTV, DIGITAL TV, PROJECTION TV

Unit: mm

High Voltage

: V

CBO

= 1700 V

= 1.5 V (Max)

Low Saturation Voltage : V

CE (sat)

: t = 0.1 µs (Typ.)

f(2)

High Speed

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)

CHARACTERISTIC

Collector−Base Voltage

SYMBOL

RATING

UNIT

CBO

CEO

EBO

1700

750

Collector−Emitter Voltage

Emitter−Base Voltage

Collector Current

Pulse

Base Current

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

200

150

−55~150

°C

JEDEC

JEITA

―

Storage Temperature Range

stg

TOSHIBA

2-21F2A

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high

temperature/current/voltage and the significant change in

Weight: 9.75 g (typ.)

temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating

conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report

and estimated failure rate, etc).

2006-11-22

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