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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 250 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.13 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC5862D | ETC |
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BJT |
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| 2SC5863 | PANASONIC |
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Silicon NPN epitaxial planar type |
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| 2SC5863Q | PANASONIC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS |
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| 2SC5863R | PANASONIC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS |
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| 2SC5865 | ROHM |
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Transistors High voltage discharge, High speed switching, Low Noise (60V, 1A) |
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| 2SC5865_11 | ROHM |
获取价格 |
High voltage discharge, High speed switching, Low Noise (60V, 1A) |
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| 2SC5865TL | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TSMT3, 3 |
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| 2SC5865TLQ | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TSMT3, 3 |
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| 2SC5865TLR | ROHM |
获取价格 |
High voltage discharge, High speed switching, Low Noise (60V, 1A) |
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| 2SC5866 | ROHM |
获取价格 |
Medium power transistor (60V, 2A) |
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