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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-70 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e6 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN BISMUTH | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 230 MHz |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC5851B | ETC |
获取价格 |
BJT |
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| 2SC5851C | ETC |
获取价格 |
BJT |
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| 2SC5851FATL-E | RENESAS |
获取价格 |
100mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-70, CMPAK-3 |
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| 2SC5852 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial Planar |
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| 2SC5852B | ETC |
获取价格 |
BJT |
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| 2SC5852C | ETC |
获取价格 |
BJT |
|
| 2SC5852QBTL-E | RENESAS |
获取价格 |
VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-70, CMPAK-3 |
|
| 2SC5855 | TOSHIBA |
获取价格 |
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR SUPER HIGH RESOLUTION |
|
| 2SC5856 | TOSHIBA |
获取价格 |
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR SUPER HIGH RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV, DIGITAL TV HIGH |
|
| 2SC5857 | TOSHIBA |
获取价格 |
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HDTV, DIGITAL TV, PROJECTION TV |
|
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