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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4224M | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 800V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-221VAR |
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| 2SC4225 | NEC |
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MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD |
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| 2SC4225R2 | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 70MA I(C) | SOT-323 |
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| 2SC4225R3 | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 70MA I(C) | SOT-323 |
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| 2SC4225-R3 | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC4225-T1R2 | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC4225-T1R3 | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC4225-T2R2 | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC4225-T2R3 | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC4226 | SECOS |
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NPN Silicon Plastic Encapsulated Transistor |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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