2SC4225R3

更新时间： 2024-09-24 23:20:19

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日电电子 - NEC		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
8页	43K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 12V V(BR)CEO \| 70MA I(C) \| SOT-323

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2SC4225R3 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.07 A
基于收集器的最大容量：	1.8 pF	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4000 MHz
Base Number Matches：	1

2SC4225R3 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC4225

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

SUPER MINI MOLD

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSIONS

The 2SC4225 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low

noise amplifier at VHF through UHF band.

in millimeters

2.1 ± 0.1

It has large dynamic range and good current characteristics.

1.25 ± 0.1

FEATURES

•

Low Noise and High Gain

NF = 1.5 dB TYP.

S21e ²= 10 dB TYP. at VCE = 10 V, IC = 20 mA, f = 1 GHz

at V^CE= 10 V, IC = 5 mA, f = 1 GHz

(reference value)

Marking

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

VCB0

V^CE0

V^EB0

I^C

P^T

T^j

3.0

160

˚C

150

T^stg

–65 to +150

˚C

PIN CONNECTIONS

1. Emitter

2. Base

3. Collector

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 ˚C)

Characteristics

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

Symbol

ICB0

IEB0

MIN.

TYP.

MAX.

Unit

Test Conditions

1.0

200

µA

VCB = 10 V, IE = 0

VEB = 2 V, IC = 0

hFE

VCE = 3 V, IC = 20 mA, pulsed

VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 1 GHz

VCB = 3 V, IE = 0, f = 1 MHz

VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 1 GHz

VCE = 3 V, IC = 5 mA, f = 1GHz

Gain Bandwidth Product

Output Capacitance

Insertion Power Gain

Noise Figure

GHz

Cob

1.2

9.0

1.5

1.8

3.0

S21e

7.5

hFE Classifications

Rank

Marking

hFE

40 to 120

100 to 200

Document No. P11192EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published February 1996 P

Printed in Japan

1996

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC4225-R3	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC4225-T1R2	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC4225-T1R3	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC4225-T2R2	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC4225-T2R3	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC4226	SECOS	获取价格	NPN Silicon Plastic Encapsulated Transistor
2SC4226	RENESAS	获取价格	NPN Silicon RF Transistor NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for High-Frequency Low-Noise
2SC4226	TYSEMI	获取价格	Low noise and high gain. NF = 1.2 dB Typ. VCE = 3V, IC= 7 mA, f = 1.0 GHz
2SC4226	SHIKUES	获取价格	NPN SILICON RF TRANSISTOR
2SC4226	NEC	获取价格	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD

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