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2SC4226

更新时间： 2024-01-13 09:17:08

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时科 - SHIKUES		放大器光电二极管晶体管
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描述
NPN SILICON RF TRANSISTOR

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2SC4226 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SUPER MINIMOLD, SC-70, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.58	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	1.5 pF
集电极-发射极最大电压：	12 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4500 MHz
Base Number Matches：	1

2SC4226 数据手册

2SC4226

NPN SILICON RF TRANSISTOR

External bipolar process, with high power gain

Low noise characteristics. The adoption of submit-

niature SOT- 323 package, Especially suitable for

high density surface patch installation, mainly for

the VHF, UHF low noise amplifier.

SOT-323：1：Base

2：Emitter 3：Collector

Feature

High gain:︱S²¹e︱²TYP. Value is 11dB

@ VCE=3V，IC=7mA，f=1GHz

Low noise: NF

f^T(TYP.) ^:

TYP. Value is 1.4dB

TYP. Value is 4.5GHz

Absolute Maximum Ratings T^A=25℃ Unless Otherwise noted

PARAMETER

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector current

SYMBLE

VCBO

VCEO

VEBO

MAXIMUM VALUE

UNIT

100

℃

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

150

Storage Temperature

Tstg

-65 ~ +150 ℃

Tstg

hFE Classification

Classification

Marking

R24

R25

60~100

90~140

130~180

170~250

250~300

hFE

REV.08

1 of 3

12 3

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