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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220MF |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.24 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 800 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 15 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4225 | NEC |
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MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD |
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| 2SC4225R2 | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 70MA I(C) | SOT-323 |
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| 2SC4225R3 | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 70MA I(C) | SOT-323 |
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| 2SC4225-R3 | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC4225-T1R2 | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC4225-T1R3 | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC4225-T2R2 | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC4225-T2R3 | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC4226 | SECOS |
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NPN Silicon Plastic Encapsulated Transistor |
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| 2SC4226 | RENESAS |
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NPN Silicon RF Transistor NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for High-Frequency Low-Noise |
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