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2SC4223L

更新时间： 2024-01-08 04:47:01
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
4页 38K
描述
TRANSISTOR,BJT,NPN,800V V(BR)CEO,1.5A I(C),TO-221VAR

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2SC4223L 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220MF
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.41Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：800 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：40 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：15 MHz
Base Number Matches：1

2SC4223L 数据手册

 浏览型号2SC4223L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC4223L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SC4223L的Datasheet PDF文件第4页 
Ordering number:ENN2762A  
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor  
2SC4223  
800V/1.5A Switching Regulator Applications  
Features  
Package Dimensions  
unit:mm  
· High breakdown voltage, high reliability.  
· High-speed switching (t =0.1µs typ).  
· Wide ASO.  
· Adoption of MBIT process.  
· Suitable for sets whose height is restricted.  
f
2049C  
[2SC4223]  
10.2  
4.5  
1.3  
1.2  
0.8  
0.4  
1
2
3
1 : Base  
2 : Collector  
3 : Emitter  
2.55  
2.55  
SANYO : TO-220MF  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C  
Parameter  
Collector-to-Base Voltage  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
1100  
800  
7
V
V
CBO  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
V
CEO  
V
V
EBO  
I
1.5  
5
A
C
PW≤300µs, duty cycle≤10%  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
I
A
CP  
I
0.8  
1.65  
40  
A
B
Ta=25˚C  
Tc=25˚C  
W
W
˚C  
Collector Dissipation  
P
C
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
150  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta = 25˚C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
max  
10  
10  
Collector Cutoff Current  
Emitter Cutoff Current  
I
V
V
=800V, I =0  
E
=5V, I =0  
C
µA  
µA  
CBO  
CB  
EB  
I
EBO  
Continued on next page.  
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft’s  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges,or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Sem iconductor Com pany  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
80504TN (PC)/D1098HA (KT)/4208MO, TS No.2762–1/4  
1234

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与2SC4223L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC4223M ONSEMI

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 		TRANSISTOR,BJT,NPN,800V V(BR)CEO,1.5A I(C),TO-221VAR
2SC4224 SANYO

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 		Switching Regulator Applications
2SC4224K ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 800V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-221VAR
2SC4224L ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 800V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-221VAR
2SC4224M ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 800V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-221VAR
2SC4225 NEC

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 		MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD
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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 70MA I(C) | SOT-323
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