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2SC4094-RCF

更新时间： 2024-11-20 20:59:39
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 97K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,

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2SC4094-RCF 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：MINIMOLD PACKAGE-4Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.68其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.065 A基于收集器的最大容量：0.8 pF
集电极-发射极最大电压：10 V配置：SINGLE
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：4封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：9000 MHzBase Number Matches：1

2SC4094-RCF 数据手册

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DATA SHEET  
SILICON TRANSISTOR  
2SC4094  
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER  
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR  
4 PINS MINI MOLD  
DESCRIPTION  
PACKAGE DIMENSIONS  
The 2SC4094 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in  
low-noise and small signal amplifiers from VHF band to UHF band. Low-  
noise figure, high gain, and high current capability achieve a very wide  
dynamic range and excellent linearity. This achieved by direct nitride  
passivated base surface process (DNP process) which is an NEC  
proprietary new fabrication technique.  
(Units: mm)  
+0.2  
−0.3  
+0.2  
−0.1  
2.8  
1.5  
FEATURES  
•
•
NF = 1.2 dB TYP. @f = 1.0 GHz, VCE = 8 V, IC = 7 mA  
S21e 2 = 15 dB TYP. @f = 1.0 GHz, VCE = 8 V, IC = 20 mA  
5°  
5°  
5°  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C)  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
20  
10  
V
V
5°  
1.5  
V
65  
mA  
mW  
C
PIN CONNECTIONS  
1. Collector  
2. Emitter  
3. Base  
4. Emitter  
Total Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
PT  
200  
Tj  
150  
Tstg  
65 to +150  
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 C)  
CHARACTERISTIC  
Collector Cutoff Current  
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
SYMBOL  
ICBO  
IEBO  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
A
TEST CONDITIONS  
1.0  
1.0  
250  
VCB = 10 V, IE = 0  
A
VEB = 1 V, IC = 0  
hFE  
50  
VCE = 8V, IC = 20 mA  
Gain Bandwidth Product  
Feed-Back Capacitance  
Insertion Power Gain  
Maximum Available Gain  
Noise Figure  
fT  
9
0.25  
15  
GHz  
pF  
VCE = 8 V, IC = 20 mA, f = 1.0 GHz  
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1.0 MHz  
VCE = 8 V, IC = 20 mA, f = 1.0 GHz  
VCE = 8 V, IC = 20 mA, f = 1.0 GHz  
VCE = 8 V, IC = 7 mA, f = 1.0 GHz  
Cre  
0.8  
2.0  
2
S21e  
13  
dB  
MAG  
NF  
17  
dB  
1.2  
dB  
hFE Classification  
Class  
Marking  
hFE  
R36/RCF *  
R36  
R37/RCG *  
R38/RCH *  
R38  
R37  
50 to 100  
80 to 160  
125 to 250  
* Old Specification / New Specification  
Document No. P10366EJ1V1DS00 (1st edition)  
Date Published March 1997 N  
Printed in Japan  
©
1987  
12345678

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与2SC4094-RCF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC4094-RCF-A NEC

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
2SC4094RCG NEC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 65MA I(C) | SOT-143RVAR
2SC4094-RCG NEC

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
2SC4094RCH NEC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 65MA I(C) | SOT-143RVAR
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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
2SC4095 NEC

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 		MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD
2SC4095 RENESAS

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 		MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
2SC4095(NE68039E) ETC

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 		Discrete
2SC4095-R46 NEC

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil

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