Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> 2SC4095-RDH

2SC4095-RDH

更新时间： 2024-11-18 13:04:19

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	108K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, MINIMOLD PACKAGE-4

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2SC4095-RDH 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	MINIMOLD PACKAGE-4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.64
其他特性：	LOW NOISE	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.035 A	基于收集器的最大容量：	0.8 pF
集电极-发射极最大电压：	10 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	10000 MHz	Base Number Matches：	1

2SC4095-RDH 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC4095

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

4 PINS MINI MOLD

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSIONS

The 2SC4095 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in

low-noise and small signal amplifiers from VHF band to UHF band.

2SC4095 features excellent power gain with very low-noise figures.

2SC4095 employs direct nitiride passivated base surface process (DNP

process) which is an NEC proprietary new fabrication technique which

provides excellent noise figures at high current values. This allows

excellent associated gain and very wide dynamic range.

(Units: mm)

+0.2

−0.3

+0.2

−0.1

2.8

1.5

FEATURES

•

NF = 1.8 dB TYP. @ f = 2.0 GHz, V^CE= 6 V, I^C= 5 mA

S^21e²= 9.5 dB TYP. @ f = 2.0 GHz, V^CE= 6 V, I^C= 10 mA

5°

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25 C)

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

5°

1.5

PIN CONNECTIONS

1. Collector

2. Emitter

3. Base

4. Emitter

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

P^T

200

T^j

150

T^stg

65 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T^A= 25 C)

CHARACTERISTIC

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

SYMBOL

I^CBO

I^EBO

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

TEST CONDITIONS

1.0

250

V^CB= 10 V, I^E= 0

V^EB= 1 V, I^C= 0

h^FE

100

V^CE= 6 V, I^C= 10 mA

Gain Bandwidth Product

Feed-Back Capacitance

Insertion Power Gain

Maximum Available Gain

Noise Figure

f^T

GHz

V^CE= 6 V, I^C= 10 mA f = 1.0 GHz

V^CB= 10 V, I^E= 0, f = 1.0 MHz

V^CE= 6 V, I^C= 10 mA, f = 2.0 GHz

V^CE= 6 V, I^C= 5 mA, f = 2.0 GHz

C^re

0.25

9.5

0.8

3.0

S^21e

7.5

MAG

1.8

h^FEClassification

Class

Marking

h^FE

R46/RDF *

R46

R47/RDG *

R48/RDH *

R48

R47

50 to 100

80 to 160

125 to 250

* Old Specification / New Specification

Document No. P10367EJ2V1DS00 (2nd edition)

Date Published March 1997 N

Printed in Japan

1987

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SC4097	SECOS	获取价格	Medium Power Transistor
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2SC4097	TYSEMI	获取价格	High ICMax. ICMax. = 0.5A Low VCE(sat). Optimal for low voltage operation.
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