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2SC4097-P-TP-HF

更新时间： 2024-11-18 20:06:15

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	276K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), NPN,

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2SC4097-P-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.64
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	32 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	82
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

2SC4097-P-TP-HF 数据手册

M C C

2SC4097-P

2SC4097-Q

2SC4097-R

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

High I_cmax.I_cmax=0.5A

•

NPN Silicon

Low V_CE(SAT).Optimal for low voltage operation.

Epitaxial Transistors

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

Maximum Ratings

Symbol

V_CEO

V_CBO

Rating

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Rating

Unit

SOT-323

V_EBO

I_C

P_C

T_J,T_STG

Collector Current

Collector power dissipation

Junction and Storage Temperature

500

200

-55 to +150

Electrical Characteristics @ 25R Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Collector -base breakdown voltage

Min

Typ

Max

Units

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

(I_C=100µA, I_E= 0)

Collector-emitter breakdown voltage

(I_C=-1mA, I_B= 0)

Emitter-base breakdown voltage

(I_E=100µA, I_c= 0)

Collector cut-off current

(V_CB=20V,I_E=0)

I_CBO

DIMENSIONS

µA

INCHES

DIM

MIN

.071

.045

.083

MAX

.087

.053

.096

MIN

MAX

2.20

1.35

2.45

NOTE

Emitter cut-off current

(V_EB=4V, I_c= 0)

I_EBO

1.80

1.15

2.10

DC Current Gain

(V_CE=3V,I_C=10mA)

.026 Nominal

0.65Nominal

1.20

.30

h_FE

390

0.4

.047

.055

.016

.004

.039

.010

.016

1.40

.40

.012

.000

.035

.004

.006

.000

.90

.100

.15

.100

1.00

.250

.40

Collector-emitter saturation voltage

(I_C=100mA, I_B=10mA)

V_CE(sat)

Collector Output Capacitance

(V_CB=10V, I_E=0, f=1.0MHz)

C_ob

Suggested Solder

Pad Layout

0.70

Transition frequency

(V_CE=5V, Ic=20mA,f=100MHz)

f_T

250

MHz

0.90

FE CLASSIFICATION

Rank

Ramge

Marking

1.90

82~180

120~270

180~390

0.65

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: C

2013/09/24

12 3

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2SC4097PTR	CHENMKO	获取价格	暂无描述
2SC4097PTRGP	CHENMKO	获取价格	Transistor,
2SC4097Q	ROHM	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 32V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SC-70
2SC4097-Q	MCC	获取价格	NPN Silicon Epitaxial Transistors
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