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2SC4097W

更新时间： 2024-09-26 04:26:03

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银河微电 - BL Galaxy Electrical		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	133K
描述
Silicon Epitaxial Planar Transistor

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2SC4097W 数据手册

BL Galaxy Electrical

Production specification

Silicon Epitaxial Planar Transistor

2SC4097W

FEATURES

Excellent h_FElinearity.

Lead-free

Power dissipation:P_CM=200mW

APPLICATIONS

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor.

SOT-323

ORDERING INFORMATION

Type No.

Marking

Package Code

SOT-323

2SC4097W

CP/CQ/CR

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

V_CBO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector Current -Continuous

Collector Dissipation

500

200

℃

P_C

Junction and Storage Temperature

T_j,T_stg

-55~150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Document number: BL/SSSTF003

Rev.A

www.galaxycn.com

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