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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SC4097-R-TP
2SC4097-R-TP PDF预览

2SC4097-R-TP

更新时间： 2024-11-21 13:01:31
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 213K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PACKAGE-3

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2SC4097-R-TP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.64
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：32 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：180
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

2SC4097-R-TP 数据手册

 浏览型号2SC4097-R-TP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC4097-R-TP的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
2SC4097-P  
2SC4097-Q  
2SC4097-R  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
High Icmax. Icmax=0.5A  
Low VCE(SAT). Optimal for low voltage operation.  
•
•
NPN Silicon  
Epitaxial Transistors  
·
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
Maximum Ratings  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Rating  
Unit  
V
V
32  
40  
5
SOT-323  
A
VEBO  
V
D
IC  
PC  
TJ, TSTG  
Collector Current  
Collector power dissipation  
Junction and Storage Temperature  
500  
200  
-55 to +150  
mA  
mW  
R
C
C
B
Electrical Characteristics @ 25R Unless Otherwise Specified  
Symbol  
E
B
Parameter  
Collector -base breakdown voltage  
Min  
Typ  
Max  
Units  
F
E
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
40  
V
(IC=100µA, IE= 0)  
Collector-emitter breakdown voltage  
(IC=-1mA, IB= 0)  
32  
5
V
V
H
G
J
Emitter-base breakdown voltage  
(IE=100µA, Ic= 0)  
K
Collector cut-off current  
(VCB=20V,IE=0)  
ICBO  
1
DIMENSIONS  
µA  
µA  
INCHES  
MM  
DIM  
MIN  
.071  
.045  
.079  
MAX  
.087  
.053  
.087  
MIN  
MAX  
2.20  
1.35  
2.20  
NOTE  
Emitter cut-off current  
(VEB=4V, Ic= 0)  
IEBO  
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
1.80  
1.15  
2.00  
DC Current Gain  
(VCE=3V,IC=10mA)  
.026 Nominal  
0.65Nominal  
1.20  
.30  
hFE  
82  
390  
0.4  
.047  
.055  
.016  
.004  
.039  
.010  
.016  
1.40  
.40  
.012  
.000  
.035  
.004  
.012  
.000  
.90  
.100  
.30  
.100  
1.00  
.250  
.40  
Collector-emitter saturation voltage  
(IC=100mA, IB=10mA)  
VCE(sat)  
V
K
Collector Output Capacitance  
(VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz)  
Cob  
6
pF  
Suggested Solder  
Pad Layout  
0.70  
Transition frequency  
(VCE=5V, Ic=20mA,f=100MHz)  
fT  
250  
MHz  
0.90  
h
FE CLASSIFICATION  
Rank  
Ramge  
Marking  
P
Q
R
mm  
1.90  
82~180  
CP  
120~270  
CQ  
180~390  
CR  
0.65  
0.65  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: A  
2011/01/01  
123

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与2SC4097-R-TP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC4097-R-TP-HF MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), NPN,
2SC4097T106/PQ ROHM

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 		500mA, 32V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4097T106/PR ROHM

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 		500mA, 32V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4097T106/Q ROHM

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 		500mA, 32V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, UMT3, SC-70, 3 PIN
2SC4097T106/QR ROHM

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 		500mA, 32V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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 		500mA, 32V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, UMT3, SC-70, 3 PIN
2SC4097T106P ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, UMT3, S
2SC4097T106PQ ROHM

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2SC4097T106PR ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC4097T106Q ROHM

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