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2SC4097T106PR

更新时间： 2024-09-25 13:04:15

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
4页	66K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

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2SC4097T106PR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.26
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	32 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	82
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	VCEsat-Max：	0.4 V
Base Number Matches：	1

2SC4097T106PR 数据手册

2SC4097

Transistors

Medium Power Transistor (32V, 0.5A)

2SC4097

zFeatures

zExternal dimensions (Units : mm)

1) High I^CMax.

I^CMax. = 0.5A

2SC4097

2) Low V^CE(sat).

Optimal for low voltage operation.

3) Complements the 2SA1577.

2.0 0.2

0.9 0.1

0.7 0.1

1.3 0.1

0.65 0.65

(1) (2)

0.2

0 ~ 0.1

(3)

zStructure

Epitaxial planar type

NPN silicon transistor

All terminals have same dimensions

+0.1

0.3

0.15 0.05

−0

(1) Emitter

(2) Base

(3) Collector

ROHM : UMT3

EIAJ : SC-70

Abbreviated symbol : C∗

Denotes hFE

∗

zAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

VCBO

VCEO

VEBO

0.5

∗

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

0.2

°C

150

Tstg

−55 to +150

∗

PC must not be exceeded.

Rev.A

1/3

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SC4097T106R	ROHM	获取价格	Medium Power Transistor (32V, 0.5A)
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