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2SC4095-RDF-A

更新时间： 2024-11-05 15:25:11

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器 ISM频段光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	95K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, MINIMOLD PACKAGE-4

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2SC4095-RDF-A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.64	最大集电极电流 (IC)：	0.035 A
基于收集器的最大容量：	0.8 pF	集电极-发射极最大电压：	10 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e6
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	10000 MHz
Base Number Matches：	1

2SC4095-RDF-A 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC4095

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

4 PINS MINI MOLD

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSIONS

The 2SC4095 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in

low-noise and small signal amplifiers from VHF band to UHF band.

2SC4095 features excellent power gain with very low-noise figures.

2SC4095 employs direct nitiride passivated base surface process (DNP

process) which is an NEC proprietary new fabrication technique which

provides excellent noise figures at high current values. This allows

excellent associated gain and very wide dynamic range.

(Units: mm)

+0.2

−0.3

+0.2

−0.1

2.8

1.5

FEATURES

•

NF = 1.8 dB TYP. @ f = 2.0 GHz, V^CE= 6 V, I^C= 5 mA

S^21e²= 9.5 dB TYP. @ f = 2.0 GHz, V^CE= 6 V, I^C= 10 mA

5°

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25 C)

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

5°

1.5

PIN CONNECTIONS

1. Collector

2. Emitter

3. Base

4. Emitter

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

P^T

200

T^j

150

T^stg

65 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T^A= 25 C)

CHARACTERISTIC

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

SYMBOL

I^CBO

I^EBO

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

TEST CONDITIONS

1.0

250

V^CB= 10 V, I^E= 0

V^EB= 1 V, I^C= 0

h^FE

100

V^CE= 6 V, I^C= 10 mA

Gain Bandwidth Product

Feed-Back Capacitance

Insertion Power Gain

Maximum Available Gain

Noise Figure

f^T

GHz

V^CE= 6 V, I^C= 10 mA f = 1.0 GHz

V^CB= 10 V, I^E= 0, f = 1.0 MHz

V^CE= 6 V, I^C= 10 mA, f = 2.0 GHz

V^CE= 6 V, I^C= 5 mA, f = 2.0 GHz

C^re

0.25

9.5

0.8

3.0

S^21e

7.5

MAG

1.8

h^FEClassification

Class

Marking

h^FE

R46/RDF *

R46

R47/RDG *

R48/RDH *

R48

R47

50 to 100

80 to 160

125 to 250

* Old Specification / New Specification

Document No. P10367EJ2V1DS00 (2nd edition)

Date Published March 1997 N

Printed in Japan

1987

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC4095-RDG	NEC	获取价格	暂无描述
2SC4095-RDG-A	NEC	获取价格	暂无描述
2SC4095-RDH	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
2SC4095-RDH-A	NEC	获取价格	暂无描述
2SC4096	ETC	获取价格
2SC4097	ROHM	获取价格	Medium Power Transistor (32V, 0.5A)
2SC4097	SECOS	获取价格	Medium Power Transistor
2SC4097	HTSEMI	获取价格	TRANSISTOR (NPN)
2SC4097	KEXIN	获取价格	Medium Power Transistor
2SC4097	TYSEMI	获取价格	High ICMax. ICMax. = 0.5A Low VCE(sat). Optimal for low voltage operation.

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