Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SB1386-P-TP

2SB1386-P-TP

更新时间： 2024-11-18 13:01:47

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	365K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PACKAGE-3

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2SB1386-P-TP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.6
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	82	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	120 MHz
Base Number Matches：	1

2SB1386-P-TP 数据手册

2SB1386-P

2SB1386-Q

2SB1386-R

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

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Micro Commercial Components

Features

xꢀ Low Collector Saturation Voltage

PNP Silicon

Epitaxial Transistors

xꢀ Execllent current-to-gain characteristics

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

ꢀ

Maximum Ratings

SOT-89

ꢀ

Symbol

Rating

Unit

ꢀ

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

-20

ꢀ

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

-30

-6.0

-2.0

ꢀ

P_C

Collector power dissipation

0.5

ꢀ

T_J

Junction Temperature

Storage Temperature

150

ꢀ

T_STG

-55 to +150

ꢀ

Electrical Characteristics @ 25к Unless Otherwise Specified

ꢀ

Symbol

Parameter

Min

Typ

Max

Units

V_(BR)CBO

Collector-base Breakdown Voltage

(I_C=-50uAdc, I_E=0)

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=-1mAdc, I_B=0)

Emitter-base Breakdown Voltage

(I_E=-50uAdc, I_C=0)

-30

---

Vdc

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-20

-6

---

Vdc

Collector-Base Cutoff Current

(V_CB=-20Vdc,I_E=0)

---

-0.5

uAdc

I_EBO

Emitter-Base Cutoff Current

(V_EB=-5Vdc, I_C=0)

DC Current Gain

(I_C=-0.5Adc, V_CE=-2.0Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-4Adc, I_B=-0.1Adc)

---

1. Emitter

2. Collector

3. Base

h_FE(1)

V_CE(sat)

f_T

---

390

-1.0

---

Vdc

MHz

ꢀ

---

Transition Frequency

120

(V_CE=-6Vdc, I_C=-50mAdc,f=30MHz)

Collector output capacitance

(V_CB=-20Vdc, I_E=0,f=1.0MHz)

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C_ob

---

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.061

REF.

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ꢆ

CLASSIFICATION OF H^{FE (1)}

Rank

Range

Marking

ꢆ

120-270

180-390

82-180

BHP

BHQ

BHR

www.mccsemi.com

1 of 4

Revision: A

2011/01/01

12 3 4

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与2SB1386-P-TP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1386PTPGP	CHENMKO	获取价格	Transistor,
2SB1386-P-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
2SB1386PTQ	CHENMKO	获取价格	Transistor,
2SB1386PTRGP	CHENMKO	获取价格	暂无描述
2SB1386Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| SC-62
2SB1386-Q	MCC	获取价格	PNP Silicon Epitaxial Transistors
2SB1386-Q-AB3-B-R	UTC	获取价格	LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR
2SB1386-Q-AB3-C-R	UTC	获取价格	LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR
2SB1386-Q-AB3-E-R	UTC	获取价格	LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR
2SB1386-Q-AB3-F-R	UTC	获取价格	Transistor

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