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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SB1386-R-TP
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2SB1386-R-TP

更新时间： 2024-11-18 13:04:11
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 365K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PACKAGE-3

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2SB1386-R-TP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.61
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：180
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：120 MHzBase Number Matches：1

2SB1386-R-TP 数据手册

 浏览型号2SB1386-R-TP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB1386-R-TP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SB1386-R-TP的Datasheet PDF文件第4页 
2SB1386-P  
2SB1386-Q  
2SB1386-R  
M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
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Micro Commercial Components  
Features  
xꢀ Low Collector Saturation Voltage  
PNP Silicon  
Epitaxial Transistors  
xꢀ Execllent current-to-gain characteristics  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
·
·
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Maximum Ratings  
SOT-89  
ꢀ
Symbol  
Rating  
Rating  
Unit  
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VCEO  
Collector-Emitter Voltage  
-20  
V
A
ꢀ
K
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
-30  
-6.0  
-2.0  
V
V
A
B
ꢀ
ꢀ
ꢀ
PC  
Collector power dissipation  
0.5  
W
ꢀ
E
TJ  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
к
к
C
ꢀ
TSTG  
-55 to +150  
ꢀ
D
ꢀ
Electrical Characteristics @ 25к Unless Otherwise Specified  
G
H
ꢀ
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ꢀ
ꢀ
ꢀ
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Units  
J
F
V(BR)CBO  
Collector-base Breakdown Voltage  
(IC=-50uAdc, IE=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=-1mAdc, IB=0)  
Emitter-base Breakdown Voltage  
(IE=-50uAdc, IC=0)  
-30  
---  
---  
Vdc  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-20  
-6  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
Collector-Base Cutoff Current  
(VCB=-20Vdc,IE=0)  
---  
-0.5  
-0.5  
uAdc  
uAdc  
1
2
3
IEBO  
Emitter-Base Cutoff Current  
(VEB=-5Vdc, IC=0)  
DC Current Gain  
(IC=-0.5Adc, VCE=-2.0Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-4Adc, IB=-0.1Adc)  
---  
1. Emitter  
2. Collector  
3. Base  
hFE(1)  
VCE(sat)  
fT  
82  
---  
---  
390  
-1.0  
---  
---  
Vdc  
MHz  
pF  
ꢀ
---  
Transition Frequency  
120  
60  
(VCE=-6Vdc, IC=-50mAdc,f=30MHz)  
Collector output capacitance  
(VCB=-20Vdc, IE=0,f=1.0MHz)  
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Cob  
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1.55  
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.061  
REF.  
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ꢆ
ꢆ
ꢆ
ꢆ
CLASSIFICATION OF HFE (1)  
Rank  
Range  
Marking  
P
Q
R
 ꢆ  
120-270  
180-390  
82-180  
BHP  
BHQ  
BHR  
www.mccsemi.com  
1 of 4  
Revision: A  
2011/01/01  
1234

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与2SB1386-R-TP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1386-R-TP-HF MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
2SB1386T100 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SB1386T100/P ROHM

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 		5000mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPT3, SC-62, 3 PIN
2SB1386T100/PQ ROHM

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 		Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1386T100/PR ROHM

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 		5A, 20V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1386T100/Q ROHM

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 		5000mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPT3, SC-62, 3 PIN
2SB1386T100/QR ROHM

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 		5A, 20V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1386T100PQ ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1386T100PR ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1386T100Q ROHM

获取价格

 		Low frequency transistor (−20V,−5A)

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