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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.61 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 82 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | JESD-609代码： | e2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN COPPER |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz |
| VCEsat-Max： | 1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1386T100PR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2SB1386T100Q | ROHM |
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Low frequency transistor (â20V,â5A) |
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| 2SB1386T100QR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2SB1386T100R | ROHM |
获取价格 |
Low frequency transistor (â20V,â5A) |
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| 2SB1386T101 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2SB1386T101/P | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2SB1386T101/PQ | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SB1386T101/PR | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SB1386T101/Q | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2SB1386T101/QR | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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