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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SB1386T100Q
2SB1386T100Q PDF预览

2SB1386T100Q

更新时间： 2024-09-26 12:52:47
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
4页 135K
描述
Low frequency transistor (−20V,−5A)

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2SB1386T100Q 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-62包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：7.77Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e2元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP功耗环境最大值：2 W
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：TIN COPPER端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：120 MHzVCEsat-Max：1 V
Base Number Matches：1

2SB1386T100Q 数据手册

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Low frequency transistor (−20V,−5A)  
2SB1412  
zFeatures  
zDimensions (Unit : mm)  
1) Low VCE(sat).  
2SB1412  
VCE(sat) = −0.35V (Typ.)  
(IC/IB = −4A / −0.1A)  
2) Excellent DC current gain characteristics.  
3) Complements the 2SD2118.  
zStructure  
Epitaxial planar type  
PNP silicon transistor  
(1) Base  
(2) Collector  
(3) Emitter  
ROHM : CPT3  
EIAJ : SC-63  
Denotes hFE  
∗
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
−30  
−20  
−6  
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
V
V
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
V
−5  
A(DC)  
A(Pulse)  
I
C
Collector current  
Collector power  
−10  
1
∗
1
W
2SB1412  
P
C
dissipation  
10  
W(Tc=25°C  
)
Junction temperature  
Storage temperature  
1 Single pulse, Pw=10ms  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to 150  
∗
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ.  
Max.  
−
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
BVCBO  
−30  
−20  
−6  
−
−
−
V
V
V
I
I
I
C
= −50  
= −1mA  
= −50  
µ
A
Collector-emitter breakdown voltage BVCEO  
−
C
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVEBO  
−
−
E
µ
A
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−0.5  
−0.5  
−1.0  
390  
−
µ
A
A
V
CB= −20V  
EB= −5V  
Emitter cutoff current  
I
−
−
µ
V
Collector-emitter saturation voltage  
V
−
0.35  
−
V
I
C
/I = −4A/ −0.1A  
B
∗
∗
h
82  
−
−
V
V
V
CE= −2V, I  
C
= −0.5A  
=50mA, f=100MHz  
=0A, f=1MHz  
DC current transfer ratio  
Transition frequency  
f
T
120  
60  
MHz  
pF  
CE= −6V, I  
E
Output capacitance  
Cob  
−
−
CB= −20V, I  
E
Measured using pulse current.  
∗
www.rohm.com  
2009.12 - Rev.C  
1/3  
c
○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1234

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2SB1386T100Q 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SB1386T100R ROHM

类似代替

 Low frequency transistor (−20V,−5A)
PBSS5520X,135 NXP

功能相似

 PBSS5520X - 20 V, 5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor SOT-89 3-Pin

与2SB1386T100Q相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1386T100QR ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1386T100R ROHM

获取价格

 		Low frequency transistor (−20V,−5A)
2SB1386T101 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1386T101/P ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1386T101/PQ ROHM

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1386T101/PR ROHM

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1386T101/Q ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1386T101/QR ROHM

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1386T101/R ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1386T101P ROHM

获取价格

 		5000mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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