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2SB1389

更新时间： 2024-09-28 05:56:19

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
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描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB1389 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB1389

DESCRIPTION

·With TO-220Fa package

·High DC current gain

·Low saturation voltage

·DARLINGTON

APPLICATIONS

·For use in low frequency power

amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector -emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

-60

-7

Open base

Open collector

-4

I_CM

Collector current-peak

-8

T_a=25℃

T_C=25℃

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3

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