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2SB1390

更新时间： 2024-02-09 18:21:57

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SAVANTIC		晶体晶体管放大器局域网
页数	文件大小	规格书
3页	130K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB1390 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.77
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SB1390 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB1390

DESCRIPTION

·With TO-220Fa package

·High DC current gain

·Low saturation voltage

·DARLINGTON

APPLICATIONS

·For use in low frequency power

amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=25ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector -emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

-60

UNIT

Open emitter

Open base

-60

Open collector

-7

-8

I_CM

Collector current-peak

-12

T_a=25ꢀ

T_C=25ꢀ

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

ꢀ

T_stg

12 3

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2SB1391	HITACHI	获取价格	Silicon PNP Triple Diffused
2SB1391	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
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