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2SB1386T100/P

更新时间： 2024-11-18 19:56:07

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	113K
描述
5000mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPT3, SC-62, 3 PIN

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2SB1386T100/P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-62
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.62
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	82	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e2	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN COPPER
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	120 MHz
Base Number Matches：	1

2SB1386T100/P 数据手册

2SB1386 / 2SB1412

Transistors

Low frequency transistor (−20V, −5A)

2SB1386 / 2SB1412

zFeatures

zDimensions (Unit : mm)

1) Low V^CE(sat).

2SB1386

2SB1412

V^CE(sat)= −0.35V (Typ.)

(I^C/IB = −4A / −0.1A)

2) Excellent DC current gain characteristics.

3) Complements the 2SD2098 / 2SD2118.

zStructure

Epitaxial planar type

PNP silicon transistor

(1) Base

(2) Collector

(3) Emitter

(1) Base

(2) Collector

(3) Emitter

ROHM : MPT3

EIAJ : SC-62

ROHM : CPT3

EIAJ : SC-63

Abbreviated symbol: BH

∗

Denotes hFE

∗

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Limits

−30

−20

−6

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

−5

A(DC)

A(Pulse)

Collector current

−10

∗

)

0.5

2SB1386

Collector power

dissipation

2SB1412

W(Tc=25°C

°C

Junction temperature

Storage temperature

1 Single pulse, Pw=10ms

150

Tstg

−55 to 150

°C

∗

2 When mounted on a 40

40×

0.7 mm ceramic board.

∗

Rev.B

1/4

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1386T100/PQ	ROHM	获取价格	Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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2SB1386T100/Q	ROHM	获取价格	5000mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPT3, SC-62, 3 PIN
2SB1386T100/QR	ROHM	获取价格	5A, 20V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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2SB1386T100Q	ROHM	获取价格	Low frequency transistor (â20V,â5A)
2SB1386T100QR	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
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