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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SB1386-Q
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2SB1386-Q

更新时间： 2024-11-18 07:30:03
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美微科 - MCC 晶体晶体管
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4页 365K
描述
PNP Silicon Epitaxial Transistors

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2SB1386-Q 数据手册

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2SB1386-P  
2SB1386-Q  
2SB1386-R  
M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Micro Commercial Components  
Features  
xꢀ Low Collector Saturation Voltage  
PNP Silicon  
Epitaxial Transistors  
xꢀ Execllent current-to-gain characteristics  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
·
·
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Maximum Ratings  
SOT-89  
ꢀ
Symbol  
Rating  
Rating  
Unit  
ꢀ
ꢀ
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ꢀ
ꢀ
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ꢀ
ꢀ
VCEO  
Collector-Emitter Voltage  
-20  
V
A
ꢀ
K
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
-30  
-6.0  
-2.0  
V
V
A
B
ꢀ
ꢀ
ꢀ
PC  
Collector power dissipation  
0.5  
W
ꢀ
E
TJ  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
к
к
C
ꢀ
TSTG  
-55 to +150  
ꢀ
D
ꢀ
Electrical Characteristics @ 25к Unless Otherwise Specified  
G
H
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Units  
J
F
V(BR)CBO  
Collector-base Breakdown Voltage  
(IC=-50uAdc, IE=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=-1mAdc, IB=0)  
Emitter-base Breakdown Voltage  
(IE=-50uAdc, IC=0)  
-30  
---  
---  
Vdc  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-20  
-6  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
Collector-Base Cutoff Current  
(VCB=-20Vdc,IE=0)  
---  
-0.5  
-0.5  
uAdc  
uAdc  
1
2
3
IEBO  
Emitter-Base Cutoff Current  
(VEB=-5Vdc, IC=0)  
DC Current Gain  
(IC=-0.5Adc, VCE=-2.0Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-4Adc, IB=-0.1Adc)  
---  
1. Emitter  
2. Collector  
3. Base  
hFE(1)  
VCE(sat)  
fT  
82  
---  
---  
390  
-1.0  
---  
---  
Vdc  
MHz  
pF  
ꢀ
---  
Transition Frequency  
120  
60  
(VCE=-6Vdc, IC=-50mAdc,f=30MHz)  
Collector output capacitance  
(VCB=-20Vdc, IE=0,f=1.0MHz)  
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ꢈꢀꢇꢆ  
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ꢆ
Cob  
---  
---  
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1.55  
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ꢉꢆ  
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.061  
REF.  
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ꢘꢍꢐꢒꢆ  
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ꢆ
ꢆ
ꢆ
ꢌꢛꢜꢆ  
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ꢕꢍꢒꢑꢆ  
ꢕꢍꢗꢐꢆ  
ꢕꢍꢒꢎꢆ  
ꢎꢍꢔꢕꢆ  
ꢆ
ꢆ
ꢆ
ꢆ
CLASSIFICATION OF HFE (1)  
Rank  
Range  
Marking  
P
Q
R
 ꢆ  
120-270  
180-390  
82-180  
BHP  
BHQ  
BHR  
www.mccsemi.com  
1 of 4  
Revision: A  
2011/01/01  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1386-Q-AB3-B-R UTC

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 		LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR
2SB1386-Q-AB3-C-R UTC

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 		LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR
2SB1386-Q-AB3-E-R UTC

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 		LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR
2SB1386-Q-AB3-F-R UTC

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 		Transistor
2SB1386-Q-AB3-R UTC

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 		暂无描述
2SB1386QGP CHENMKO

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 		Transistor,
2SB1386-Q-TP-HF MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
2SB1386R ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SC-62
2SB1386-R MCC

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 		PNP Silicon Epitaxial Transistors
2SB1386-R-AB3-B-R UTC

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