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2SB1386Q

更新时间： 2024-02-25 15:31:40

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其他 - ETC		晶体晶体管
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4页	92K
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TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| SC-62

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2SB1386Q 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	180
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

2SB1386Q 数据手册

2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326

Transistors

Low frequency transistor (−20V, −5A)

2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326

!External dimensions (Units : mm)

!Features

1) Low V^CE(sat).

2SB1386

2SB1412

0.2

V^CE(sat)= −0.35V (Typ.)

(I^C/I^B= −4A / −0.1A)

2) Excellent DC current gain

characteristics.

2.3

6.5 0.2

−

0.1

+0.2

4.5

C0.5

−0.1

+0.2

5.1

+0.2

0.5 0.1

1.5

−0.1

1.6 0.1

−0.1

3) Complements the 2SD2098 /

2SD2118 / 2SD2097.

(1) (2) (3)

0.75

0.65 0.1

+0.1

0.4

−0.05

0.9

0.4 0.1

1.5 0.1

0.5 0.1

3.0 0.2

0.4 0.1

1.5 0.1

0.55 0.1

1.0 0.2

2.3 0.2 2.3 0.2

(1) (2) (3)

!Structure

Epitaxial planar type

PNP silicon transistor

(1) Base

(2) Collector

(3) Emitter

(1) Base

(2) Collector

(3) Emitter

ROHM : MPT3

EIAJ : SC-62

ROHM : CPT3

EIAJ : SC-63

Abbreviated symbol: BH∗

2SB1326

2.5 0.2

6.8 0.2

0.65Max.

0.5 0.1

(1) (2) (3)

2.54 2.54

1.05

0.45 0.1

(1) Emitter

(2) Collector

(3) Base

ROHM : ATV

∗ Denotes hFE

12 3 4

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