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2SA1790GB

更新时间： 2024-11-02 19:56:35
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 200K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN

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2SA1790GB 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.77
最大集电极电流 (IC)：0.03 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：70
JESD-30 代码：R-PDSO-F3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
Base Number Matches：1

2SA1790GB 数据手册

 浏览型号2SA1790GB的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SA1790GB的Datasheet PDF文件第3页 
Transistors  
2SA1790  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For low-frequency amplification  
Complementary to 2SC4626  
Unit: mm  
+0.1  
+0.1  
0.2  
0.15  
–0.05  
–0.05  
3
■ Features  
• High transition frequency fT  
• SS-Mini type package allowing downsizing of the equipment and  
automatic insertion through the tape packing  
1
(0.
.0 0.1  
1.6
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
5˚  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VE
IC  
R
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector op
Collector current  
−20  
V
1: Base  
2: Emitter  
3: Collector  
−5  
V
30  
mA  
W  
°C  
°C  
EIAJ: SC-75  
SSMini3-G1 Package  
Collector power dissipa
Junction temperature  
PC  
125  
Tj  
15  
Marking Symbol: E  
Storage temperatre  
Tstg  
−55 to +15  
■ ElecCharacterisics Ta 25°C 3°C  
Paramer  
Symbol  
VBE  
Conditions  
VCE = −10 µA, IC = −1 mA  
VCB = −10 V, IE = 0  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
Bse-emitter satuation voltage  
Collecff curnt (Emitter open)  
Cf current (Base open)  
Emitterrrent (Collector open)  
Forward ctransfer ratio *  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
− 0.7  
ICBO  
ICEO  
− 0.1  
−100  
−10  
µA  
µA  
µA  
VCE = −20 V, IB = 0  
IEBO  
VEB = −5 V, IC = 0  
hFE  
VCE = −10 V, IC = −1 mA  
70  
220  
VCE(sat) IC = −10 mA, IB = −1 mA  
− 0.1  
300  
2.8  
V
fT  
VCB = −10 V, IE = 1 mA, f = 200 MHz  
150  
MHz  
dB  
Ω
Noise figure  
NF  
Zrb  
Cre  
VCB = −10 V, IE = 1 mA, f = 5 MHz  
VCB = −10 V, IE = 1 mA, f = 2 MHz  
VCB = −10 V, IE = 1 mA, f = 10.7 MHz  
4.0  
60  
Reverse transfer impedance  
22  
Reverse transfer capacitance  
(Common emitter)  
1.2  
2.0  
pF  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. : Rank classification  
*
Rank  
B
C
hFE  
70 to 140  
110 to 220  
Publication date: March 2003  
SJC00031BED  
1
123

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与2SA1790GB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1790G-B PANASONIC

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 		暂无描述
2SA1790GC PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS C
2SA1790G-C PANASONIC

获取价格

 		30mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN
2SA1790J PANASONIC

获取价格

 		For high-frequency amplification
2SA1790JB PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS C
2SA1790JC PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS C
2SA1791 PANASONIC

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 		Silicon PNP epitaxial planer type
2SA1791G PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS C
2SA1791GQ PANASONIC

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2SA1791GR PANASONIC

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