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2SA1790G

更新时间： 2024-11-02 19:57:07

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	219K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN

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2SA1790G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.75
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1790G 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Transistors

2SA1790G

Silicon PNP epitaxial planar type

For high-frequency amplification

Complementary to 2SC4626G

■ Features

• Optimum for RF amplification of FM/AM radios

• High transition frequency f_T

• SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing

■ Package

• Code

SSMini3-F3

• Marking Symbol: E

• Pin Name

1. Base

2. Emitter

3. Collector

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

−30

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

−20

−5

Collector current

I_C

P_C

T_j

−30

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

125

T_stg

−55 to +125

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Base-emitter voltage

Symbol

V_BE

Conditions

V_CE= −10 V, I_C= −1 mA

V_CB= −10 V, I_E= 0

Min

Typ

Max

Unit

− 0.7

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio ^*

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

I_CBO

I_CEO

− 0.1

−100

−10

µA



V_CE= −20 V, I_B= 0

I_EBO

V_EB= −5 V, I_C= 0

h_FE

V_CE= −10 V, I_C= −1 mA

220

V_CE(sat)I_C= −10 mA, I_B= −1 mA

− 0.1

300

2.8

f_T

V_CB= −10 V, I_E= 1 mA, f = 200 MHz

150

MHz

Ω

Noise figure

Z_rb

C_re

V_CB= −10 V, I_E= 1 mA, f = 5 MHz

V_CB= −10 V, I_E= 1 mA, f = 2 MHz

V_CB= −10 V, I_E= 1 mA, f = 10.7 MHz

4.0

Reverse transfer impedance

Reverse transfer capacitance (Common emitter)

1.2

2.0

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE

70 to 140

110 to 220

Publication date: May 2007

SJC00379AED

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SA1790G-B	PANASONIC	获取价格	暂无描述
2SA1790GC	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS C
2SA1790G-C	PANASONIC	获取价格	30mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN
2SA1790J	PANASONIC	获取价格	For high-frequency amplification
2SA1790JB	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS C
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2SA1791	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer type
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2SA1791GQ	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS C

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