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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.48 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 集电极-发射极最大电压： | 10 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 140 MHz | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1314B | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 10V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-89 |
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| 2SA1314-B | KEXIN |
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PNP Transistors |
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| 2SA1314C | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 10V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-89 |
|
| 2SA1314-C | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| 2SA1314-C | KEXIN |
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PNP Transistors |
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| 2SA1314CTE12L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 2000 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
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| 2SA1314CTE12R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 2000 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
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| 2SA1314TE12L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 2000 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
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| 2SA1315 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS) |
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| 2SA1315_07 | TOSHIBA |
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Power Amplifier Applications Power Switching Applications |
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