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2SA1317S

更新时间: 2024-02-10 09:08:15
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 431K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SPAK

2SA1317S 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.86最大集电极电流 (IC):0.2 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):280JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.3 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):200 MHzBase Number Matches:1

2SA1317S 数据手册

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