5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2SA1316-BL
2SA1316-BL PDF预览

2SA1316-BL

更新时间： 2024-02-17 20:16:02
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 317K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, 2-5F1B, SC-43, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

阅读下载

获取价格

2SA1316-BL 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.52最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：350JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.4 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzVCEsat-Max：0.1 V
Base Number Matches：1

2SA1316-BL 数据手册

 浏览型号2SA1316-BL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SA1316-BL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SA1316-BL的Datasheet PDF文件第4页 
2SA1316  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)  
2SA1316  
Recommended for the First Stages of MC Head  
For Low Noise Audio Amplifier Applications and  
Unit: mm  
Amplifiers  
•
Very low noise in the region of low signal source impedance  
equivalent input noise voltage: E = 0.6 nV/Hz1/2 (typ.)  
n
•
•
•
Low pulse noise. Low 1/f noise  
Low base spreading resistance: r = 2.0 Ω (typ.)  
bb’  
Complementary to 2SC3329  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
−80  
−80  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
−5  
V
I
−100  
−20  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Base current  
I
B
JEDEC  
JEITA  
TO-92  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
400  
C
SC-43  
T
125  
j
TOSHIBA  
2-5F1B  
T
−55~125  
stg  
Weight: 0.21 g (typ.)  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Collector cut-off current  
I
V
V
= −80 V, I = 0  
−0.1  
−0.1  
µA  
µA  
V
CBO  
CB  
EB  
E
Emitter cut-off current  
I
= −5 V, I = 0  
C
EBO  
(BR) CEO  
Collector-emitter breakdown voltage  
V
I
= −1 mA, I = 0  
−80  
C
B
h
FE  
DC current gain  
V
= −6 V, I = −2 mA  
200  
700  
CE  
C
(Note)  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter voltage  
V
I
= −10 mA, I = −1 mA  
−0.6  
2.0  
50  
−0.1  
V
V
CE (sat)  
C
B
V
V
V
V
V
V
= −6 V, I = −2 mA  
C
BE  
CE  
CE  
CE  
CB  
CE  
Base spreading resistance  
Transition frequency  
r
bb’  
= −6 V, I = −1 mA, f = 100 MHz  
Ω
C
f
= −6 V, I = −1 mA, f = 100 MHz  
MHz  
pF  
T
C
Collector output capacitance  
C
= −10 V, I = 0, f = 1 MHz  
6.2  
ob  
E
= −6 V, I = −0.1 mA  
C
1
6
2
f = 10 Hz, R = 10 kΩ  
G
V
= −6 V, I = −0.1 mA  
C
CE  
Noise figure  
NF  
dB  
0.5  
2.5  
f = 1 kHz, R = 10 kΩ  
G
V
= −6 V, I = −0.1 mA  
C
CE  
f = 1 kHz, R = 100 Ω  
G
Note: h classification GR: 200~400, BL: 350~700  
FE  
1
2003-03-24  
1234

下载PDF

与2SA1316-BL相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SA1316GR ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92

获取价格
2SA1316-GR TOSHIBA TRANSISTOR 100 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, 2-5F1B, SC-43, 3 PIN, BI

获取价格
2SA1317 SANYO PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors

获取价格
2SA1317 CJ TO-92S

获取价格
2SA1317R JCST Transistor

获取价格
2SA1317S ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SPAK

获取价格

与2SA1316-BL相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证