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2SA1317R

更新时间： 2024-01-10 23:05:45

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Transistor

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2SA1317R 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.86
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1317R 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-92S Plastic-Encapsulate Transistors

TO – 92S

2SA1317 TRANSISTOR (PNP)

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

FEATURES

Large Current Capacity and Wide ASO

MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Value

-60

Unit

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-50

-6

Collector Current

-0.2

P_C

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

300

℃/W

℃

R_θJA

T_j

417

150

T_stg

Storage Temperature

-55~+150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test

conditions

Min

-60

-50

-6

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C=-0.01mA,I_E=0

I_C=-1mA,I_B=0

I_E=-0.01mA,I_C=0

V_CB=-40V,I_E=0

-0.1

560

μA

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB=-5V,I_C=0

h_FE(1)

V_CE=-6V, I_C=-1mA

V_CE=-6V, I_C=-0.1mA

I_C=-100mA,I_B=-10mA

V_CB=-6V,I_E=0, f=1MHz

VCE=-6V,IC=-10mA

100

DC current gain

h_FE(2)

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Collector output capacitance

Transition frequency

V_CE(sat)

V_{BE (sat)}

C_ob

-0.3

-1

f_T

200

MHz

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

RANK

280-560

RANGE

100-200

140-280

200-400

A,Dec,2010

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与2SA1317R相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1317S	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 200MA I(C) \| SPAK	获取价格
2SA1317T	JCST	Transistor	获取价格
2SA1317U	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 200MA I(C) \| SPAK	获取价格
2SA1318	SANYO	AF Amp Applications	获取价格
2SA1318	SECOS	PNP Plastic Encapsulated Transistor	获取价格
2SA1318	TRSYS	Plastic-Encapsulated Transistors	获取价格