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2SA1316-GR

更新时间： 2024-11-29 19:23:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 317K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, 2-5F1B, SC-43, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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2SA1316-GR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.52最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.4 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzVCEsat-Max：0.1 V
Base Number Matches：1

2SA1316-GR 数据手册

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2SA1316  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)  
2SA1316  
Recommended for the First Stages of MC Head  
For Low Noise Audio Amplifier Applications and  
Unit: mm  
Amplifiers  
•
Very low noise in the region of low signal source impedance  
equivalent input noise voltage: E = 0.6 nV/Hz1/2 (typ.)  
n
•
•
•
Low pulse noise. Low 1/f noise  
Low base spreading resistance: r = 2.0 Ω (typ.)  
bb’  
Complementary to 2SC3329  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
−80  
−80  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
−5  
V
I
−100  
−20  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Base current  
I
B
JEDEC  
JEITA  
TO-92  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
400  
C
SC-43  
T
125  
j
TOSHIBA  
2-5F1B  
T
−55~125  
stg  
Weight: 0.21 g (typ.)  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Collector cut-off current  
I
V
V
= −80 V, I = 0  
−0.1  
−0.1  
µA  
µA  
V
CBO  
CB  
EB  
E
Emitter cut-off current  
I
= −5 V, I = 0  
C
EBO  
(BR) CEO  
Collector-emitter breakdown voltage  
V
I
= −1 mA, I = 0  
−80  
C
B
h
FE  
DC current gain  
V
= −6 V, I = −2 mA  
200  
700  
CE  
C
(Note)  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter voltage  
V
I
= −10 mA, I = −1 mA  
−0.6  
2.0  
50  
−0.1  
V
V
CE (sat)  
C
B
V
V
V
V
V
V
= −6 V, I = −2 mA  
C
BE  
CE  
CE  
CE  
CB  
CE  
Base spreading resistance  
Transition frequency  
r
bb’  
= −6 V, I = −1 mA, f = 100 MHz  
Ω
C
f
= −6 V, I = −1 mA, f = 100 MHz  
MHz  
pF  
T
C
Collector output capacitance  
C
= −10 V, I = 0, f = 1 MHz  
6.2  
ob  
E
= −6 V, I = −0.1 mA  
C
1
6
2
f = 10 Hz, R = 10 kΩ  
G
V
= −6 V, I = −0.1 mA  
C
CE  
Noise figure  
NF  
dB  
0.5  
2.5  
f = 1 kHz, R = 10 kΩ  
G
V
= −6 V, I = −0.1 mA  
C
CE  
f = 1 kHz, R = 100 Ω  
G
Note: h classification GR: 200~400, BL: 350~700  
FE  
1
2003-03-24  
1234

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