是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.86 | 最大集电极电流 (IC): | 0.2 A |
集电极-发射极最大电压: | 50 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 280 | JEDEC-95代码: | TO-92 |
JESD-30 代码: | O-PBCY-T3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | PNP |
最大功率耗散 (Abs): | 0.3 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 200 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SA1317R | CJ |
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Transistor | |
2SA1317S | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SPAK | |
2SA1317T | CJ |
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Transistor | |
2SA1317U | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SPAK | |
2SA1318 | SANYO |
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AF Amp Applications | |
2SA1318 | SECOS |
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PNP Plastic Encapsulated Transistor | |
2SA1318 | TRSYS |
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Plastic-Encapsulated Transistors | |
2SA1318 | WINNERJOIN |
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TRANSISTOR (PNP) | |
2SA1318 | CJ |
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TO-92 | |
2SA1318R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92 |