是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | TO-92 | 包装说明: | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.21.00.95 |
风险等级: | 5.52 | 最大集电极电流 (IC): | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压: | 80 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 200 | JEDEC-95代码: | TO-92 |
JESD-30 代码: | O-PBCY-T3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 125 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
极性/信道类型: | PNP | 最大功率耗散 (Abs): | 0.4 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | BOTTOM |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 50 MHz | VCEsat-Max: | 0.1 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SA1316BL | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 | |
2SA1316-BL | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, 2-5F1B, SC-43, 3 PIN, BI | |
2SA1316GR | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 | |
2SA1316-GR | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, 2-5F1B, SC-43, 3 PIN, BI | |
2SA1317 | SANYO |
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PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors | |
2SA1317 | CJ |
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TO-92S | |
2SA1317R | CJ |
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Transistor | |
2SA1317S | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SPAK | |
2SA1317T | CJ |
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Transistor | |
2SA1317U | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SPAK |