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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> 2N7002K-T1-GE3
2N7002K-T1-GE3 PDF预览

2N7002K-T1-GE3

更新时间： 2024-01-06 03:24:34
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
9页 219K
描述
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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2N7002K-T1-GE3 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：0.49Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：Released2D Presentation：https://componentsearchengine.com/2D/0T/300555.1.1.png
Schematic Symbol：https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=300555PCB Footprint：https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=300555
3D View：https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=300555Samacsys PartID：300555
Samacsys Image：https://componentsearchengine.com/Images/9/2N7002K-T1-GE3.jpgSamacsys Thumbnail Image：https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/2N7002K-T1-GE3.jpg
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)Samacsys Footprint Name：SOT-23 (TO-236) --
Samacsys Released Date：2019-08-29 13:28:22Is Samacsys：N
其他特性：LOW THRESHOLD, ESD PROTECTION, FAST SWITCHING配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：0.3 A
最大漏源导通电阻：4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：0.35 W
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2N7002K-T1-GE3 数据手册

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2N7002K  
Vishay Siliconix  
SPECIFICATIONS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Limits  
Typ.a  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min.  
Max.  
Unit  
Static  
VDS  
VGS = 0 V, ID = 10 µA  
Drain-Source Breakdown Voltage  
60  
1
V
VGS(th)  
VDS = VGS, ID = 250 µA  
Gate-Threshold Voltage  
Gate-Body Leakage  
2.5  
10  
VDS = 0 V, VGS  
DS = 0 V, VGS  
=
=
=
20 V  
15 V  
10 V  
µA  
nA  
V
1
IGSS  
V
DS = 0 V, VGS  
150  
1000  
100  
1
V
DS = 0 V, VGS  
=
10 V, TJ = 85 °C  
5 V  
VDS = 60 V, VGS = 0 V  
V
DS = 0 V, VGS =  
IDSS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
On-State Drain Currenta  
µA  
mA  
Ω
V
DS = 60 V, VGS = 0 V , TJ = 125 °C  
VGS = 10 V, VDS = 7.5 V  
500  
800  
500  
ID(on)  
V
GS = 4.5 V, VDS = 10 V  
VGS = 10 V, ID = 500 mA  
GS = 4.5 V, ID = 200 mA  
2
4
Drain-Source On-Resistancea  
RDS(on)  
V
Forward Transconductancea  
Diode Forward Voltage  
gfs  
VDS = 10 V, ID = 200 mA  
IS = 200 mA, VGS = 0 V  
100  
mS  
V
VSD  
1.3  
0.6  
Dynamica  
VDS = 10 V, VGS = 4.5 V  
Qg  
Total Gate Charge  
0.4  
nC  
pF  
ID ≅ 250 mA  
Ciss  
Coss  
Crss  
Input Capacitance  
30  
6
VDS = 25 V, VGS = 0 V  
f = 1 MHz  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
2.5  
Switchinga, b, c  
Turn-On Time  
Turn-Off Time  
td(on)  
td(off)  
25  
35  
VDD = 30 V, RL = 150 Ω  
ID ≅ 200 mA, VGEN = 10 V, RG = 10 Ω  
ns  
Notes:  
a. For DESIGN AID ONLY, not subject to production testing.  
b. Pulse test: PW ≤ 300 µs duty cycle ≤ 2 %.  
c. Switching time is essentially independent of operating temperature.  
Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and functional operation  
of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational sections of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum  
rating conditions for extended periods may affect device reliability.  
www.vishay.com  
2
Document Number: 71333  
S09-0857-Rev. E, 18-May-09  
1234567...9

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