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2N7002K-E3

更新时间： 2024-10-14 21:21:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 112K
描述
TRANSISTOR 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, TO-236, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal

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2N7002K-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.3 A
最大漏极电流 (ID)：0.3 A最大漏源导通电阻：2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-236
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2N7002K-E3 数据手册

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2N7002K  
Vishay Siliconix  
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
•
•
•
Low On-Resistance: 2 Ω  
VDS (V)  
rDS(on) (Ω)  
ID (mA)  
Pb-free  
Low Threshold: 2 V (typ)  
Available  
2 at VGS = 10 V  
60  
300  
Low Input Capacitance: 25 pF  
Fast Switching Speed: 25 ns  
Low Input and Output Leakage  
TrenchFET® Power MOSFET  
RoHS*  
COMPLIANT  
• 2000 V ESD Protection  
BENEFITS  
TO-236  
SOT-23  
•
•
•
•
•
Low Offset Voltage  
Low-Voltage Operation  
Easily Driven Without Buffer  
High-Speed Circuits  
Low Error Voltage  
G
S
1
2
3
D
APPLICATIONS  
Top View  
•
Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS  
•
Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers,  
Display, Memories, Transistors, etc.  
Ordering Information: 2N7002K-T1  
2N7002K-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
•
•
Battery Operated Systems  
Solid-State Relays  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
60  
Unit  
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
20  
TA = 25 °C  
300  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)b  
Pulsed Drain Currenta  
ID  
TA = 100 °C  
190  
mA  
IDM  
PD  
800  
TA = 25 °C  
0.35  
0.14  
350  
Power Dissipationb  
W
TA = 100 °C  
Maximum Junction-to-Ambientb  
°C/W  
°C  
RthJA  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
Notes:  
a. Pulse width limited by maximum junction temperature.  
b. Surface Mounted on FR4 board.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.  
Document Number: 71333  
S-72195-Rev. B, 22-Oct-07  
www.vishay.com  
1
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2N7002K-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N7002K-7 DIODES

功能相似

 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
2N7002LT3G ONSEMI

功能相似

 Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23
2N7002LT1G ONSEMI

功能相似

 Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23

与2N7002K-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N7002KFN3 PANJIT

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 		60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected
2N7002KG SECOS

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 		N-Ch Small Signal MOSFET with Gate Protection
2N7002KG8 GOOD-ARK

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 		60V MOSFET
2N7002KG8_15 GOOD-ARK

获取价格

 		60V MOSFET
2N7002KG-AE2-R UTC

获取价格

 		300m Amps, 60 Volts N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
2N7002KHE3 MCC

获取价格

 		Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
2N7002K-HF COMCHIP

获取价格

 		MOSFET
2N7002KL CJ

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 		SOT-23
2N7002KL3 MCC

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 		Tape&Reel: 10Kpcs/Reel;
2N7002KL3A MCC

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 		Tape&Reel: 10Kpcs/Reel;

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