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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.85 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 20 A |
| 基于收集器的最大容量： | 300 pF | 集电极-发射极最大电压： | 300 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| JEDEC-95代码： | TO-204AA | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 150 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 25 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 1850 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 250 ns | VCEsat-Max： | 0.6 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6654 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6654 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6654 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6654 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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| 2N6654 | NJSEMI |
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HIGH SPEED/HIGH POWER SWITCHING TRANSISTORS |
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| 2N6654 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2N6654 | VISHAY |
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Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Meta |
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| 2N6655 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2N6655 | VISHAY |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Meta |
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| 2N6655 | NJSEMI |
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HIGH SPEED/HIGH POWER SWITCHING TRANSISTORS |
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