生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-3 |
包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.77 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 20 A |
集电极-发射极最大电压: | 350 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 10 | JEDEC-95代码: | TO-204AA |
JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | NPN | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 75 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N6655 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 | |
2N6655 | VISHAY |
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Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Meta | |
2N6655 | NJSEMI |
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HIGH SPEED/HIGH POWER SWITCHING TRANSISTORS | |
2N6655 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device | |
2N6658 | NJSEMI |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET | |
2N6658 | MUSIC |
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2N6658 | |
2N6659 | NJSEMI |
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TMOS SWITCHING TRANSISTOR | |
2N6659 | SEME-LAB |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR | |
2N6659 | MOTOROLA |
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TMOS SWITCHING FET TRANSISTORS | |
2N6659B-1 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 35V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |