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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.85 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 20 A | 基于收集器的最大容量： | 300 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 400 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | JEDEC-95代码： | TO-204AA |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 150 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 25 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 1850 ns | 最大开启时间（吨）： | 250 ns |
| VCEsat-Max： | 0.6 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6658 | NJSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET |
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| 2N6658 | MUSIC |
获取价格 |
2N6658 |
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| 2N6659 | NJSEMI |
获取价格 |
TMOS SWITCHING TRANSISTOR |
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| 2N6659 | SEME-LAB |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR |
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| 2N6659 | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS SWITCHING FET TRANSISTORS |
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| 2N6659B-1 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 35V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2N6659B-2 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 35V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2N6660 | SUPERTEX |
获取价格 |
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
|
| 2N6660 | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS SWITCHING FET TRANSISTORS |
|
| 2N6660 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S) Single and Quad MOSFETs |
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