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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.77 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 20 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 350 V | 配置： | SINGLE |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 75 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6655 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2N6655 | VISHAY |
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Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Meta |
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| 2N6655 | NJSEMI |
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HIGH SPEED/HIGH POWER SWITCHING TRANSISTORS |
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| 2N6655 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device |
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| 2N6658 | NJSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET |
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| 2N6658 | MUSIC |
获取价格 |
2N6658 |
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| 2N6659 | NJSEMI |
获取价格 |
TMOS SWITCHING TRANSISTOR |
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| 2N6659 | SEME-LAB |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR |
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| 2N6659 | MOTOROLA |
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TMOS SWITCHING FET TRANSISTORS |
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| 2N6659B-1 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 35V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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