5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2N6650
2N6650 PDF预览

2N6650

更新时间： 2024-11-20 22:35:55
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
1页 53K
描述
POWER TRANSISTORS TO-3 CASE

阅读下载

中文翻译

获取价格

2N6650 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.17Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：10 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：TO-3
JESD-30 代码：O-MBFM-P2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：200 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：100 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：6 MHzBase Number Matches：1

2N6650 数据手册

  
Power Transistors  
TO-3 Case (Continued)  
TYPE NO.  
I
P
BV  
BV  
h
@ I  
V
@ I  
f
C
D
CBO  
CEO  
FE  
C
CE(SAT)  
C
T
*TYP  
*TYP  
(MHz)  
MIN  
(A)  
(W)  
(V)  
(V)  
(A)  
(V)  
(A)  
NPN  
PNP  
MAX  
MIN  
MIN  
MIN  
20  
10  
8.0  
6.0  
20  
MAX  
MAX  
2N6248  
10  
10  
10  
10  
15  
15  
20  
20  
20  
8.0  
8.0  
8.0  
15  
10  
10  
10  
15  
15  
15  
15  
5.0  
5.0  
8.0  
8.0  
15  
15  
12  
15  
15  
15  
8.0  
8.0  
8.0  
125  
175  
175  
175  
115  
150  
160  
160  
160  
125  
125  
125  
117  
100  
100  
100  
125  
125  
125  
125  
100  
100  
125  
125  
175  
175  
100  
120  
120  
120  
150  
150  
150  
110  
300  
375  
450  
55  
100  
60  
80  
100  
500  
600  
700  
50  
40  
60  
80  
50  
50  
70  
90  
650  
850  
650  
850  
650  
850  
45  
60  
90  
120  
350  
400  
450  
100  
200  
275  
350  
45  
80  
60  
80  
100  
250  
300  
350  
40  
40  
60  
80  
40  
40  
60  
80  
300  
400  
300  
400  
300  
400  
40  
60  
90  
120  
300  
350  
400  
100  
50  
50  
50  
70  
70  
5.0  
10  
10  
10  
3.0  
5.0  
3.5  
1.5  
1.5  
1.5  
4.0  
4.0  
3.0  
3.0  
3.0  
5.0  
5.0  
5.0  
4.0  
3.0  
3.0  
3.0  
3.5  
3.5  
3.5  
3.5  
1.0  
1.0  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
4.0  
4.0  
4.0  
2.0  
2.0  
2.0  
10  
10  
10  
10  
15  
15  
20  
20  
20  
8.0  
8.0  
8.0  
16  
10  
10  
10  
15  
15  
15  
15  
3.0  
3.0  
8.0  
5.0  
10  
10  
4.0  
15  
15  
15  
8.0  
8.0  
8.0  
4.0  
2.5  
2.5  
2.5  
4.0  
- -  
2N6249  
2N6250  
2N6251  
2N6253  
2N6254  
2N6282  
2N6283  
2N6284  
2N6306  
2N6307  
2N6308  
2N6371  
2N6383  
2N6384  
2N6385  
20  
2N6285  
2N6286  
2N6287  
750 18,000 10  
750 18,000 10  
750 18,000 10  
4.0  
4.0  
4.0  
5.0  
5.0  
5.0  
4.0  
6.0  
6.0  
6.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
6.0  
6.0  
6.0  
6.0  
6.0  
6.0  
2.5  
6.0  
6.0  
6.0  
15  
15  
15  
12  
15  
75  
75  
60  
60  
8.0  
8.0  
8.0  
8.0  
2N6648  
2N6649  
2N6650  
2N6469  
1,000 20,000 5.0  
1,000 20,000 5.0  
1,000 20,000 5.0  
20  
20  
20  
20  
7.0  
7.0  
7.0  
7.0  
12  
12  
15  
150  
150  
150  
150  
35  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
3.0  
3.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
4.0  
2N6470  
2N6471  
2N6472  
2N6542  
2N6543  
2N6544  
2N6545  
2N6546  
2N6547  
2N6569  
2N6576  
2N6577  
2N6578  
2N6671  
2N6672  
2N6673  
35  
35  
35  
60  
60  
2N6594  
200  
2,000 20,000 4.0  
2,000 20,000 4.0  
2,000 20,000 4.0  
10  
10  
10  
40  
40  
40  
- -  
- -  
- -  
15  
15  
Shaded areas indicate Darlington.  
83  
www.centralsemi.com  
1

中文翻译

下载PDF

2N6650 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N5877 MICROSEMI

功能相似

 Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL
2N6328 MICROSEMI

功能相似

 NPN Transistor(30A, 100V)

与2N6650相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N6650E3 MICROSEMI

获取价格

 		Power Bipolar Transistor
2N6650LEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2
2N6650PBFREE CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor,
2N6653 ISC

获取价格

 		Silicon NPN Power Transistors
2N6653 JMNIC

获取价格

 		Silicon NPN Power Transistors
2N6653 SAVANTIC

获取价格

 		Silicon NPN Power Transistors
2N6653 NJSEMI

获取价格

 		HIGH SPEED/HIGH POWER SWITCHING TRANSISTORS
2N6653 SEME-LAB

获取价格

 		Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package.
2N6653 MICROSEMI

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2
2N6653 VISHAY

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Meta

与2N6650相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证