是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | not_compliant | 风险等级: | 5.76 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 10 A |
集电极-发射极最大电压: | 80 V | 配置: | DARLINGTON |
最小直流电流增益 (hFE): | 100 | JEDEC-95代码: | TO-3 |
JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | PNP | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N6650E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor |
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2N6650LEADFREE | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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2N6650PBFREE | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, |
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2N6653 | ISC | Silicon NPN Power Transistors |
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2N6653 | JMNIC | Silicon NPN Power Transistors |
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2N6653 | SAVANTIC | Silicon NPN Power Transistors |
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