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2N6650E3

更新时间: 2024-02-13 11:27:40
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美高森美 - MICROSEMI 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 362K
描述
Power Bipolar Transistor

2N6650E3 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:TO-3, 2 PIN
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.69
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):10 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):100
JEDEC-95代码:TO-204AAJESD-30 代码:O-MBFM-P2
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2N6650E3 数据手册

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