是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.69 | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 10 A | 集电极-发射极最大电压: | 80 V |
配置: | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE): | 100 |
JEDEC-95代码: | TO-3 | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | PNP |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N6653 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2N6653 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2N6653 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2N6653 | NJSEMI |
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HIGH SPEED/HIGH POWER SWITCHING TRANSISTORS | |
2N6653 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package. | |
2N6653 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 | |
2N6653 | VISHAY |
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Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Meta | |
2N6654 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2N6654 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2N6654 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |