5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.66 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 15 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 75 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 5 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6491U | MOTOROLA |
获取价格 |
15A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| 2N6491U2 | MOTOROLA |
获取价格 |
15A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| 2N6491W | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| 2N6491WD | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| 2N6492 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N6492 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N6492 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N6493 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N6493 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N6493 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 350V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
