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2N6496

更新时间: 2024-01-29 02:05:42
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通用电气 - GE 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
7页 349K
描述
HIGH-CURRENT, HIGH-POWER HIGH-SPEED SILICON N-P-N PLANAR TRANSISTORS

2N6496 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):20 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):30
极性/信道类型:NPN子类别:Other Transistors
Base Number Matches:1

2N6496 数据手册

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