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2N6497

更新时间： 2024-01-18 06:35:40

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	93K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6497 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.71	最大集电极电流 (IC)：	5 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JESD-609代码：	e3	最高工作温度：	150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	80 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	标称过渡频率 (fT)：	5 MHz
Base Number Matches：	1

2N6497 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6497

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·High breakdown voltage

APPLICATIONS

·Designed for high voltage inverters,

switching regulators and line operated

amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Collector current-Peak

Base current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

350

ꢀ

Open base

250

Open collector

I_CM

I_B

P_D

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

T_j

150

-65~150

T_stg

ꢀ

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance from junction to case

1.56

ꢀ/W

12 3

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