2N6497

更新时间： 2024-02-29 00:14:51

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管高压
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8页	65K
描述
High Voltage NPN Silicon Power Transistors

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2N6497 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.71	最大集电极电流 (IC)：	5 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JESD-609代码：	e3	最高工作温度：	150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	80 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	标称过渡频率 (fT)：	5 MHz
Base Number Matches：	1

2N6497 数据手册

ON Semiconductor⁾

High Voltage NPN Silicon

Power Transistors

2N6497

. . . designed for high voltage inverters, switching regulators and

line–operated amplifier applications. Especially well suited for

switching power supply applications.

5 AMPERE

POWER TRANSISTORS

NPN SILICON

250 VOLT

• High Collector–Emitter Sustaining Voltage –

= 250 Vdc (Min)

80 WATTS

CEO(sus)

• Excellent DC Current Gain

= 10–75 @ I = 2.5 Adc

• Low Collector–Emitter Saturation Voltage @ I = 2.5 Adc –

= 1.0 Vdc (Max)

CE(sat)

MAXIMUM RATINGS (1)

Rating

Symbol

Value

250

350

6.0

Unit

Vdc

Adc

STYLE 1:

PIN 1. BASE

2. COLLECTOR

3. EMITTER

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Collector Current – Continuous

CEO

4. COLLECTOR

CASE 221A–09

TO–220AB

5.0

–

Peak

Base Current

2.0

Adc

Total Power Dissipation @ T = 25_C

0.64

Watts

W/_C

Derate above 25_C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T ,T

J stg

–65 to +150

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

(1) Indicates JEDEC Registered Data.

1.56

_C/W

θJC

Semiconductor Components Industries, LLC, 2002

Publication Order Number:

April, 2002 – Rev. 11

2N6497/D

12 3 4 5 6 7 8

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