2N6494

更新时间： 2024-12-01 07:29:07

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	39K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6494 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2N6494 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6492

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Low collector saturation voltage

·High DC current gain

·DARLINGTON

APPLICATIONS

·General-purpose power amplifier and

low frequency swithing applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

Open collector

P_D

Total Power Dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

100

150

-65~200

℃

T_j

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

1.75

℃/W

12 3

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