2N6495

更新时间： 2024-12-01 05:57:43

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3页	125K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6495 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2N6495 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6495

DESCRIPTION

·With TO-66 package

·Low collector saturation voltage

·Excellent safe operating area

APPLICATIONS

·Designed for switching and wide-

band amplifier applications

PINNING (See Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

150

UNIT

Open base

Open collector

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-65~200

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-C}

Thermal resistance junction to case

4.37

℃/W

12 3

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