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2N6338G

更新时间： 2024-01-30 15:07:34

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	135K
描述
High-Power NPN Silicon Transistors

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2N6338G 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	25 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	40 MHz
Base Number Matches：	1

2N6338G 数据手册

2N6338, 2N6341

High-Power NPN Silicon

Transistors

. . . designed for use in industrial−military power amplifier and

switching circuit applications.

• High Collector−Emitter Sustaining Voltage −

http://onsemi.com

= 100 Vdc (Min) − 2N6338

CEO(sus)

= 150 Vdc (Min) − 2N6341

• High DC Current Gain −

= 30 − 120 @ I = 10 Adc

25 AMPERE

POWER TRANSISTORS

NPN SILICON

= 12 (Min) @ I = 25 Adc

• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −

= 1.0 Vdc (Max) @ I = 10 Adc

CE(sat)

• Fast Switching Times @ I = 10 Adc

t = 0.3 ms (Max)

t = 1.0 ms (Max)

t = 0.25 ms (Max)

• Pb−Free Packages are Available

*MAXIMUM RATINGS

TO−204AA

CASE 1−07

Rating

Symbol 2N6338

2N6341

180

Unit

Vdc

Adc

Collector−Base Voltage

Collector−Emitter Voltage

Emitter−Base Voltage

120

100

CEO

150

6.0

ORDERING INFORMATION

Collector Current

Continuous

Peak

Device

Package

Shipping

2N6338

TO−204AA

100 Units / Tray

Base Current

Adc

2N6338G

TO−204AA

(Pb−Free)

Total Device Dissipation

@ T = 25_C

200

W/°C

2N6341

TO−204AA

100 Units / Tray

1.14

Derate above 25_C

2N6341G

TO−204AA

(Pb−Free)

Operating and Storage

Junction

T , T

–65 to +200

stg

Temperature Range

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

0.875

_C/W

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum

Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended

Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the

Recommended Operating Conditions may affect device reliability.

*Indicates JEDEC Registered Data.

Publication Order Number:

October, 2011 − Rev. 12

2N6338/D

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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