2N6059

更新时间： 2024-01-25 20:19:09

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描述
SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR

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2N6059 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-204AA
包装说明：	TO-3, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.06
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	12 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	750	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4 MHz	Base Number Matches：	1

2N6059 数据手册

2N6059

SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR

■

SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE

HIGH GAIN

NPN DARLINGTON

HIGH CURRENT

HIGH DISSIPATION

INTEGRATED ANTIPARALLEL

COLLECTOR-EMITTER DIODE

APPLICATIONS

■

LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL

EQUIPMENT

TO-3

DESCRIPTION

The 2N6059 is a silicon epitaxial-base NPN

transistor in monolithic Darlington configuration

mounted in Jedec TO-3 metal case.

It is inteded for use in power linear and low

frequency switching applications.

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

R₁Typ. = 6 KΩ

R₂Typ. = 55 Ω

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CBO

V_CEX

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage (I_E= 0)

Collector-Emitter Voltage (V_BE= -1.5V)

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

Emitter-Base Voltage (I_C= 0)

Collector Current

Value

Unit

100

I_CM

Collector Peak Current

I_B

Base Current

0.2

150

P_tot

Total Dissipation at T_c≤ 25 C

^oC

T_stg

T_j

Storage Temperature

-65 to 200

200

Max. Operating Junction Temperature

For PNP types voltage and current values are negative.

1/4

June 1997

12 3 4

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